Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 120MIN |
Tj,max | 170ºC |
Аналоги | 2N3065 KT639J |
Изготовитель |
necБиполярные транзисторы necIGBT транзисторы necFET транзисторы nec |
Назначение | RF, Low Power, Low Noise |
to92 | Распиновка |
---|---|