Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 1V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 12MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 90T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF118 |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | RF, Low Power, High Voltage |
to1 | Распиновка |
---|---|