Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 350mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 60/250 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BC212L 2N4061 KT3107K |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|