Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 7 |
Hfe | 55MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BC212L 2N4061 KT357G KT3107K |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Low Power, Switching, High Frecvency |
to92 | Распиновка |
---|---|