Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1.5A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD590 2N6126 D41D7 D41D11 2SA624 ECG211 2N4918 KT505B |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, High Current |
to202 | Распиновка |
---|---|