Биполярный транзистор - 2SB1172
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 15W |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 60V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 3A |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 90/180 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | 2N4900 KT816G |
| Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to218 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |