Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 600mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 35 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BSW54 2N1990 KT630E |
Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|