Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 75MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 35MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC337 2N4001 2SC1210 2SC1211 KT683D |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|