Биполярный транзистор - 2N5813

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 35V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 750mA
Ft,max 135MHz
Cctip,pF 15
Hfe 60MIN
Tj,max 135ºC
Аналоги BC328 2N5819 KT505B
Изготовитель

gen

Биполярные транзисторы gen

IGBT транзисторы gen

FET транзисторы gen
Назначение Medium Power, General Purpose
x55-1 Распиновка