Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 45V |
Uce,max | 45V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 36/90 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BSW66 2N2222A KT3117A |
Изготовитель |
idcБиполярные транзисторы idcIGBT транзисторы idcFET транзисторы idc |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|