Биполярный транзистор - 2N1420A
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 600mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 28V |
| Ueb,max | 7V |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | 60MHz |
| Cctip,pF | 25 |
| Hfe | 100MIN |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BFY50 2N1990 KT630E |
| Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |